Memoria para Notebook DDR4 16GB 2666Mhz CL19 Kingston - KVR26S19S8/16

DESCRIÇÃO

16GB 2666MHz DDR4 Non-ECC CL19 SODIMM 1Rx8 16GB Module

- DDR4 2666MHz

Código do Produto: KVR26S19S8/16

Especificações:

DDR4, 2666MHz, Non-ECC, CL19, X8, 1.2V, Unbuffered, SODIMM, 260-pin, 1R, 16Gbit

Descrição: O KVR26S19S8/16 da Kingston é um módulo de memória SODIMM DDR4-2666 2G x 64 bits (16GB) CL19 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx8, com base em oito componentes FBGA 2G x 8bits.

O SPD é programado para latência padrão JEDEC DDR4-2666 tempo de 19-19-19 a 1.2V.

Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouro. Recursos:

• Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típica

• VDDQ = 1,2 V típico

• VPP = 2,5 V típico

• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V

• Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para dados, strobe e sinais de máscara

• Auto-atualização de baixa potência (LPASR)

• Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados

• Geração e calibração de VREFDQ na matriz • Single-rank

• EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD)

• 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada • Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS)

• Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)

• Topologia fly-by

• Comando de controle terminado e barramento de endereço

• PCB: Altura 1,23 ”(30,00 mm)

• Compatível com RoHS e livre de halogênio Especificações: CL (IDD): 19 ciclos Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.) Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)

Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.) Classificação UL: 94 V-0 Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC.